Back to List

招待講演

鈴木 真理子

Orbray株式会社

『ダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長における微細表面観察』

 

東芝研究開発センター(総合研究所)において化合物半導体発光素子およびダイヤモンド半導体の研究開発に従事。 InGaAlP四元混晶による赤~緑色の発光素子においてオフ基板によるドーピング特性や発光効率への効果を明らかにし、当時最高輝度のLEDを実現、またGaN系青紫レーザの室温発振に貢献。 2001年よりダイヤモンド半導体のパワーデバイス研究開発に従事し、最高耐圧を持つダイヤモンドPINダイオードを実現。 n型ダイヤモンドショットキーダイオードにおける、非常に大きなショットキー障壁や、フェルミレベルの強いピニング現象を実験的に示すなど、界面を含む電気特性の解明を中心に研究開発を行った。 2017年よりコーンズテクノロジー株式会社でダイヤモンドCVD成長装置開発に携わった後、スペイン政府の補助金を得て2021年から2024年までカディス大学(スペイン)において、ダイヤモンド半導体研究開発および半導体教育に従事。 2025年1月よりOrbray株式会社大阪研究所副所長としてダイヤモンド基板の研究開発に従事。 早稲田大学博士(工学)。